• banner1
  • banner2
  • banner3
当前位置:主页 > 企业招聘 >

美研究人员放大招 或可让LED到达零光衰?

来源:http://www.jfyjjd.com 责任编辑:www.d88.com 更新日期:2018-10-13 13:35

  美研究人员放大招 或可让LED到达零光衰?

  伊利诺大学香槟分校研讨人员发展出一种新的办法,进步绿光LED亮度而且进步其功率。

  

  伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授Can Bayram发展出一种新的办法,进步绿光LED亮度而且进步其功率。(一切图片来历:伊利诺大学)

  运用工业内规范的半导体长晶技能,研讨人员在硅基板上制作氮化镓(GaN)晶体,这种晶体可以发作高功率的绿光,运用于固态照明。

  伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授CanBayram表明:这是一个具有突破性的制程,研讨人员成功在可调式的CMOS硅制程上出产新的质料,也就是方形氮化镓(cubic GaN),这种质料首要用于绿色波长射极。

  将半导体用于感测以及通讯可以翻开可见光通讯的运用,而光通讯正是彻底改变光运用的技能。援助CMOS制程的LED可以到达快速、高功率、低功率且多重运用的绿光LED一起可以省下许多制程设备的费用。

  一般GaN构成一至两种晶体结构,六方形或立方体。汉口银行创新产品 助推重庆招商六方形GaN为热安稳,且是传统半导体的运用。不过,六角形GaN较简单呈现偏振现象,内部的电场将负电子与正电子分隔,避免他们结合,因而而形成光输出功率下降。

  到目前为止,研讨人员只能运用分子束外延(Molecular beam epitaxy)制作方形GaN,这样的制程十分贵重且与MOCVD制程相较之下十分费时。

  

  研讨人员成功在可调式的CMOS硅制程上出产新的质料,也就是方形氮化镓(cubicGaN),这种质料首要用于绿色波长射极。

  Bayram表明:微影技能(lithography)以及等向性蚀刻技能在硅上制作U行凹槽。这层非导电阻隔层扮演了将六角形塑型至方形的要害人物。咱们的GaN没有内部的电场可以离隔电子,因而,可能会发作堆叠问题,环亚娱乐ag88电子和凹洞更快速结兼并制作光线。

  Bayram和Liu信任他们的方形GaN晶体可能可以成功让LED到达零光衰(droop)。对绿色、蓝色或UVLED而言,这些LED的发光功率都会跟着经过电流的输入而逐步阑珊,也就是所谓的光衰。

  这次的研讨显示出偏振在光衰的问题中有无足轻重的位置,将电子推离凹槽,尤其是低输入电流的情况下。在零偏振的情况下,方形LED可以到达更厚的发光层并处理削减的电子和凹槽堆叠以及电流过载。

  效能较好的绿色LED将会成功翻开新的LED固态照明运用。举例而言,这些LED将可藉由混色宣布白光而且到达节能作用。其他先进的运用也涵括使用无荧光的绿色LED制作超平行LED的运用、水中通讯以及例如光遗传学以及偏头痛等生物科技运用。

  

   LEDLED照明光衰固态照明

Copyright © 2013 www.d88.com,尊龙娱乐人生就是博,尊龙备用网站,www.d88.com All Rights Reserved 网站地图